RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2782
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link