RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
49
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3327
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link