RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
62
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3047
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5 1GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link