RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
62
Wokół strony -265% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3714
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link