Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 62
    Wokół strony -72% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.3 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.0 left arrow 1,843.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    62 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,556.6 left arrow 9.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,843.6 left arrow 7.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    542 left arrow 1891
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania