RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2497
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link