RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
70
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
70
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1971
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link