RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3704
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link