RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3142
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4A-H9 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link