RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3845
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link