RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
27
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
4089
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link