RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
48
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2466
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link