Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 6.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 35
    Wokół strony -17% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    11.1 left arrow 9.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    35 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.8 left arrow 11.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.9 left arrow 6.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    17000 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Taktowanie / szybkość zegara
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2126 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania