RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
1254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
AMD R534G1601U1S 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link