RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
42
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
42
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2126
2885
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link