RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
34
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2516
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link