RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Lenovo 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Lenovo 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
Lenovo 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
50
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lenovo 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Lenovo 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
50
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
2951
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Lenovo 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link