RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Wynik ogólny
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
77
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1682
1809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link