RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. ECC-DDR3-1600 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link