RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
1714
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link