RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3859
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link