RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3552
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link