RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2872
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link