RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link