RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2680
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link