RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2260
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link