RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link