RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
46
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2936
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link