RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
57
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2233
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link