RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2642
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link