Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    29 left arrow 39
    Wokół strony 26% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    14.4 left arrow 12.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.2 left arrow 7.8
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 39
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.1 left arrow 14.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.8 left arrow 9.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2177 left arrow 2386
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania