RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
58
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2504
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link