RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
29
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link