RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
51
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2778
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link