RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/8GX 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link