RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
69
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
69
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1831
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link