RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1838
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link