RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3762
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link