RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2690
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link