RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2825
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link