RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
37
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2179
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link