RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2408
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link