RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link