RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2755
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link