RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
62
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
55
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2612
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link