RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2991
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link