RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link