RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2320
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link