RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
62
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
59
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2225
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link