RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
62
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
26
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3715
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link