RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB vs SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2066
1993
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8C
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Jinyu 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link